골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--고신뢰성 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼 주식회사(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)는 오늘 자사의 PCIM 2023 쇼케이스에서 전력 스펙트럼을 넘어 시장 적용 분야에서 회사의 확장된 입지를 강조할 것이라고 발표했다. 전시된 장치는 탁월한 제조 가능성, 설계 가능성, 구동 가능성 및 안정성을 제공하는 GaN 전력 변환 솔루션으로서 저전력부터 고전력까지의 시스템을 지원하는 트랜스폼의 역량을 시연한다. 참가자들은 5월 9일부터 11일까지 행사 기간 동안 7번 홀, 108번 부스에 있는 트랜스폼을 방문할 수 있다.

BOM 비용 절감

웰트렌드세미컨덕터(Weltrend Semiconductor)와 함께 개발하여 최근 발표된 SuperGaN® SiP인 WT7162RHUG24A는 APEC 2023에서 첫선을 보인 후 다시 전시될 예정이다. 이 제품은 새로운 집적 회로로 구축된 Weltrend의 고효율 싱글 스테이지 65W USB-C PD 3.0 + PPS 전원 어댑터 표준 설계와 함께 전시될 예정이다. 전체 최대 효율성이 ~94.0%이고 전력 밀도가 26W/in3인 이 보드는 프로그램 가능한 어댑터를 위한 전체적이고 비용 효율적인 솔루션을 제공한다. SiP 샘플은 sales@weltrend.com.tw에 문의하면 된다.

시스템 성능 향상 시연

트랜스폼의 장치 포트폴리오는 탁월한 전력 변환 성능을 원하는 엔지니어들에게 다양한 옵션을 제공한다. 이러한 장치는 성능 패키지로 제공되거나, 필요에 따라 핀-대-핀 호환 산업 표준 패키지로 제공된다.이러한 장치는 성능 패키지로 제공되거나, 드롭인 교체가 필요한 경우 핀-투-핀 호환 업계 표준 패키지로 제공된다. 현장 정적 시연을 통해 현재 사용 가능한 게임용 노트북 충전기에서 TSMC e-모드 장치를 트랜스폼 FET로 교체하여 시스템 성능을 크게 향상한 방법을 확인할 수 있다.

3kW 인버터 시스템에서의 GaN 사용 단순화

최근 발표된 TDINV3000W050B-KIT라는 3.0kW DC-to-AC 비절연 풀브리지 인버터 평가 보드가 처음으로 전시된다. 이 제품은 트랜스폼의 TP65H050G4WS SuperGaN FET와 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology)의 dsPIC33CK DSC(디지털 신호 컨트롤러) 보드를 페어링한다. DSC 보드에는 광범위한 산업 및 재생 가능 전력 시스템에서 SuperGaN 솔루션을 이해하고 신속하게 개발할 수 있도록 사전 프로그래밍된 펌웨어가 장착되어 있다.

자동차 GaN 솔루션의 다양화

트랜스폼의 기술 전문성 덕분에 이 회사는 자동차 중심의 GaN 전력 변환 솔루션에 대한 업계의 주요 벤치마크를 설정할 수 있었다. 트랜스폼은 AEC-Q101 인증 650V 장치를 사용하여 최초로 시장에 출시되었다. 또한 당사는 175°C 인증을 받은 AEC-Q101 장치를 출시한 유일한 GaN 장치 제조업체이기도 하다. 또한 PCIM에서 트랜스폼은 1년 전에 처음 선보인 1200V GaN 장치의 설계 리소스를 공개함으로써 다시 한번 중요한 이정표를 달성할 것이다. 이 장치는 다양한 전기차 적용을 가능하게 하는 회사의 이미 강력한 650V 솔루션을 보완할 것이다.

강연에 참여

Power Systems 세션을 통해 트랜스폼의 GaN 플랫폼이 Bodo의 모든 전력 레벨에서 전력 시스템에 미치는 영향에 대해 자세히 알아보기 바란다.

패널: GaN HEMT와 수직 GaN을 이용한 와이드 밴드갭 설계

연사: 필립 주크(Philip Zuk), 비즈니스 개발 및 마케팅 수석 부사장

날짜: 5월 10일

시간: 중앙유럽 서머타임(CEST), 오후 1:05

위치: 인더스트리 스테이지, 7번 홀, 부스 480

단일 핵심 플랫폼, 전력 스펙트럼 전반

트랜스폼은 다음과 같은 기술로 차별화되고 선도적인 GaN 전력 반도체 회사이다.

제조 가능성: EPI 설계, 웨이퍼 공정 및 FET 다이 설계를 소유하는 수직 통합.

설계 가능성: 잘 알려진 업계 표준 패키지 및 성능 패키지를 제공하는 동시에 유명한 글로벌 기술 리더와 협력하여 보다 용이하고 빠른 시스템 개발을 지원한다.

주행 가능성: 외부 회로를 최소화하면서 실리콘처럼 구동되고 기성 컨트롤러 및 드라이버와 쌍을 이루는 장치를 제공한다.

신뢰성: 저전력 또는 고전력 적용 분야에서 1,250억 이상의 현장 작업 시간에 걸쳐 현재 0.05 미만의 FIT 비율로 업계를 선도하고 있다.

저희와의 미팅

시연 중 트랜스폼과의 미팅 일정을 잡으려면 vipin.bothra@transphormusa.com으로 문의한다.

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼 주식회사는 고전압 전력 변환 적용을 위해 고성능 및 높은 안정성의 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1,000개 이상의 소유 또는 라이선스 특허를 보유한 가장 큰 Power GaN IP 포트폴리오 중 하나인 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산한다. 회사의 수직적으로 통합된 장치 비즈니스 모델은 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원과 같은 모든 개발 단계에서 혁신을 가능하게 한다. 트랜스폼의 혁신은 99% 이상의 효율성, 50% 이상의 전력 밀도 및 20% 낮은 시스템 비용을 달성하기 위해 실리콘의 한계를 넘어파워일레트로닉스를주도한다. 트랜스폼은 캘리포니아 주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영하고 있다. 더 자세한 정보에 대해서는 www.transphormusa.com 을 방문하여 확인한다. Twitter @transphormusa 및 WeChat @Transphorm_GaN에서도 당사를 팔로우할 수도 있다.

SuperGaN 마크는 트랜스폼 주식회사의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 자산이다.

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