서울--(뉴스와이어)--베렉스가 국내 독자 기술로 동작 주파수 50MHz~8GHz에서 광대역의 우수한 이득을 보유한 평탄도의 RF DSA (Digital Step Attenuator)와 AMP (Amplifier)가 결합된 DVGA (Digital Variable Gain Amplifier) MCM (Small Multi Chip Module) 제품 4종(BVA1761, BVA1762, BVA2761, BVA2762)을 출시했다.

특히 이 제품은 회로 설계 및 반도체 공정 모두 국내 순수 독자 기술로 개발된 제품이다.

DVGA는 낮은 RF 신호를 증폭뿐만 아니라 외부에서 Serial Interface를 이용해 0.25dB 단계로 이득 조절 범위가 31.75dB까지 가능하며, Addressable (A0, A1, A2) 기능으로 MIMO (Multiple-Input and Multiple-Output)/Muti-Paths 애플리케이션 설계 방식에서 외부 제어 라인을 70%까지 최소화할 수 있다. 또한 모든 단계별 정확도는 ±(0.25+3.0%xATT) @ 1.9GHz/±(0.25+5%xATT) @ 3.5GHz로 미세하게 이득을 조절할 수 있다.

성능 장점으로는 무선 통신 시장에서 사이즈를 최소화하기 위해 AMP (Amplifier)+DSA (Digital Step Amplifier), AMP+DSA+AMP를 QFN 4mmx4mm와 QFN 5mmx5mm Package를 사용하므로 기존 제품 AMP와 DSA (Digital Step Attenuator) 동시 사용자에게 장비의 크기를 줄일 수 있는 장점을 제공할 수 있다. IF (중간 주파수: 50MHz) 대역부터 6GHz, 8GHz 대역까지 광대역으로 사용할 수 있다. 기존 국가별 5G 주파수를 모두 수용할 수 있어 경쟁 우위의 제품으로 기대된다.

1-Stage DVGA (BVA1761, BVA1762), 2-Stage DVGA (BVA2761, BVA2762) 제품은 5G Band로 많이 사용되는 3.5GHz 대역에서 각각(17dB, 19.7dB), (34.8dB, 40.5dB)의 고 이득, 광대역(3.5GHz~4.65GHz) 주파수 내에서 1dB 내외의 우수한 평탄도 성능으로 5G 애플리케이션 제품 설계 시 부품 수를 줄이고 광대역에서 평탄한 제품 개발이 용이하다.

선형성(OIP3: >34dBm, OP1dB: >20dBm)을 확보해 고선형선 애플리케이션 제품에 적용할 수 있다. 서로 핀 배열이 비슷해 PCB 공용화로 고객이 원하는 장비 규격에 맞게 선택해 사용할 수 있어 5G/4G/3G 이동통신 시장에서 널리 사용될 것으로 기대된다.

제품 기획 단계부터 이동통신장비사 고객의 편리성에 중점을 둬 넓게 고객층을 확보할 수 있다.

MSB (Most Significant Bit) 입력 시 발생하는 오버슈트(Overshoot)를 약 95% 정도를 개선함으로써 Glitch 잡음에 의해 무선통신 장비에서 발생하는 고출력 증폭기가 죽는 현상 및 칩의 오 동작 및 안정성을 개선했다. 이 기술은 특허 등록(10-1838958, 10-2341166)돼 독자적인 기술을 보유한 기술 중심의 RF Semiconductor 전문 회사다.

국내 시장 규모 자체는 크지 않지만, 5G용 광대역 DVGA는 베렉스만 지닌 제품 라인업으로, 이동통신 부품 회사로 전문성을 강화하고, 베렉스의 독자 기술로 제품화하므로 업계의 기술 리더를 인정받게 됐다.

베렉스는 이번 성과를 계기로 5G 해외 Macro/Micro/Small Cell 이동통신 장비 시장으로 수출 증대 및 독자 기술 제품화에 따른 원가 개선 효과를 기대하고 있다.

베렉스는 앞으로 도래할 6G에 적합한 광대역, 고 이득, 고 선형성 DVGA MCM 제품 라인업 확장 계획을 갖고 있다.

◇ 제품 규격

1.Power requirement

·BVA1761= 5.0V, 83mA/3.3V, 48mA

·BVA1762= 5.0V, 110mA/4.0V, 55mA

·BVA2761= 5.0V, 166mA/3.3V, 96mA

·BVA2762= 5.0V, 215mA/4.0V, 110mA

2.Frequency band

·BVA1761= 50MHz to 6000MHz

·BVA1762= 500MHz to 8000MHz

·BVA2761= 50MHz to 6000MHz

·BVA2762= 500MHz to 8000MHz

3.Gain/Attenuation

·BVA1761 = 17.0 dB @ 3.5GHz/0.25dB Steps up to 31.75dB

·BVA1762 = 19.7 dB @ 3.5GHz/0.25dB Steps up to 31.75dB

·BVA2761 = 34.8 dB @ 3.5GHz/0.25dB Steps up to 31.75dB

·BVA2762 = 40.5 dB @ 3.5GHz/0.25dB Steps up to 31.75dB

4.High P1dB (Output power at 1dB compression)/OIP3 (Output third order intercept point)

·BVA1761 = 20.0 dBm/37.5 dBm @ 3.5GHz

·BVA1762 = 20.7 dBm/34.9 dBm @ 3.5GHz

·BVA2761 = 20.7 dBm/36.6 dBm @ 3.5GHz

·BVA2762 = 21.2 dBm/35.6 dBm @ 3.5GHz

5.Gain accuracy

·BVA1761= ± (0.25 + 5.0% of gain setting) @ 3.5 GHz

·BVA1762= ± (0.25 + 5.0% of gain setting) @ 3.5 GHz

·BVA2761= ± (0.25 + 5.0% of gain setting) @ 3.5 GHz

·BVA2762= ± (0.25 + 5.0% of gain setting) @ 3.5 GHz

6.Programming modes

·Serial mode only

·2-3bit Addressable function to minimize Control line

7.Glitch-safe attenuation state transitions

8.Power-UP states Settings

9.Package size

·BVA1761/BVA1762= 4mmx4mmx0.9mm, 24-Lead QFN

·BVA2761/BVA2762= 5mmx5mmx0.9mm, 32-Lead QFN

베렉스 개요

베렉스는 무선통신용 화합물 반도체를 마케팅, 개발, 생산, 판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무 차입 경영을 실시하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 BeRex, Inc.를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 또한 전 세계 20개 국가에 수출 및 492개 고객을 확보한 경영, 마켓팅과 기술 혁신형 벤처기업이다.